Вышла новая научная статья, которую подготовили сотрудники Центра перспективных методов мезофизики и нанотехнологий МФТИ, ВНИИА им. Н. Л. Духова и их коллеги из Санкт-Петербурга, Москвы, Бильбао (Испания) и Дрездена (Германия). Она опубликована в Advanced Functional Materials.
Топология электронной зонной структуры играет центральную роль в объяснении различных физических явлений в системах с конденсированными средами. Нетривиальность зонной структуры некоторых материалов приводит к образованию новых состояний вещества, таких как топологические изоляторы, полуметаллы Дирака или Вейля. Кроме того, такие нетривиальные зоны обладают потенциалом индуцировать топологическую сверхпроводимость за счет эффекта близости. Поэтому граница раздела между топологическим изолятором и сверхпроводником играет чрезвычайно важную роль в изучении топологической сверхпроводимости.
Поскольку параметр порядка сверхпроводимости чувствителен к микромасштабным структурам вокруг электродов и процессу их изготовления, крайне важно оценить как транспортные свойства сверхпроводящих переходов, так и их локальную структуру для установления топологической сверхпроводимости.
В своей работе ученые продемонстрировали двойной критический ток в сверхпроводящем устройстве квантовой интерференции, изготовленном путем распыления ниобия (Nb) поверх чешуйки BiSbTe2Se, легированной железом (Fe).
Анализируя полученные критические токи в зависимости от температуры и магнитного поля, авторы показали, что второй критический ток обусловлен внутренней сверхпроводимостью интерфейса «сверхпроводник/топологический изолятор», что подтверждается моделью с резистивно-шунтированным переходом и визуализацией методом просвечивающей электронной микроскопии.
С полным текстом статьи можно ознакомиться по ссылке.