21 декабря 2025

Поверхностные эффекты в рентгеновской абсорбционной спектроскопии лантанидов: переориентация 4f-моментов в CeRh₂Si₂

Поверхностные эффекты в рентгеновской абсорбционной спектроскопии лантанидов: переориентация 4f-моментов в CeRh₂Si₂
Графический абстракт иллюстрирует различие между объёмными и поверхностными 4f-состояниями в CeRh₂Si₂: схематическое изображение кристалла с выделенным поверхностным слоем сопровождается сравнением экспериментальных и расчётных XAS-спектров для различных |M_J⟩ состояний. Отдельно подчёркнута переориентация магнитных моментов церия на поверхности по сравнению с объёмом. This graphic abstract illustrates the difference between the bulk and surface 4f states in CeRh₂Si₂: a schematic representation of the crystal with the surface layer highlighted is accompanied by a comparison of experimental and calculated XAS spectra for various |M_J⟩ states. The reorientation of the magnetic moments of cerium at the surface compared to the bulk is highlighted

В журнале Physical Review B опубликована статья, посвящённая влиянию поверхности на рентгеновские абсорбционные спектры лантанидных материалов с сильными электронными корреляциями. В качестве модельной системы исследован антиферромагнитный кондо-решётчатый материал CeRh₂Si₂, а также родственные соединения LnRh₂Si₂ (Ln = Tm, Tb, Pr).

Впервые показано, что в спектрах Ce M₄,₅ (3d→4f) края, измеренных в режиме полного электронного выхода (TEY), традиционно используемом для анализа объёмных свойств, присутствует отчётливый вклад поверхностных атомов церия. Сравнение данных для Si- и Ce-терминированных поверхностей выявило качественные различия в форме спектров, которые усиливаются при переходе к более поверхностно-чувствительному режиму частичного электронного выхода (PEY).

Комбинация эксперимента и атомистического моделирования XAS-спектров позволила однозначно установить переориентацию 4f-магнитных моментов церия в поверхностном слое CeRh₂Si₂. В то время как в объёме моменты ориентированы вдоль кристаллографической оси c, на Ce-терминированной поверхности они переориентируются в плоскость ab. Этот эффект связан с изменением кристаллического электрического поля вблизи поверхности и ранее не учитывался при интерпретации XAS-данных для Ce-содержащих систем.

Аналогичный анализ, выполненный для TmRh₂Si₂, TbRh₂Si₂ и PrRh₂Si₂, показал, что поверхностная переориентация 4f-моментов является общим свойством лантанидных соединений данного класса и определяется знаками и величинами параметров кристаллического поля. Работа подчёркивает необходимость аккуратного разделения поверхностных и объёмных вкладов при анализе спектроскопических данных, особенно для сильно коррелированных f-электронных систем.

.

Ссылка на публикацию

Surface effects in x-ray absorption spectra of lanthanides: Focus on strongly correlated cerium materials,

Physical Review B 112, 035137 (2025). (https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/blg4-bxl5)

DOI: 10.1103/PhysRevB.112.035137