Исследователи из МФТИ и Пекинского технологического института разработали метод создания ультратонких сегнетоэлектрических пленок CuCrSe2. Эта работа, опубликованная в Advanced Materials, прокладывает путь к разработке миниатюрных электронных устройств нового поколения. Данный метод обеспечивает контроль над составом и структурой материала, позволяя создавать пленки толщиной всего 5,2 нанометра, которые сохраняют свои свойства даже при высоких температурах.
Работа открывает новые перспективы для разработки миниатюрных электронных устройств, таких как чипы памяти, датчики и транзисторы нового поколения.
Спонтанная поляризация в сегнетоэлектрических материалах, изменяемая внешним электрическим полем, делает их идеальными для применения в электронике. Однако при миниатюризации эти свойства часто теряются. Новые пленки CuCrSe2 сохраняют свои свойства даже при температурах до 800 кельвинов, что значительно расширяет возможности их использования.Подробный пресс-релиз на сайте журнала "За науку"