В среду 22 октября в 17:00 в 226.5 ЛК состоится семинар "Современные проблемы квантовой физики". С докладами выступят аспирант ФГУП ВНИИА Наумов Марк, научный руководитель д.ф.-м.н. Столяров В.С., и аспирант кафедры фундаментальной и прикладной физики микро- и наноструктур Тюменев Радик, научный руководитель д.ф.-м.н. Столяров В.С.
Тюменев Радик выступит с докладом на тему: Эффект памяти индуктивности в сверхпроводящих планарных многослойных резонаторах S/F/S/F/S/N.
Аннотация: Доклад посвящён экспериментальным результатам исследования сверхпроводящих многослойных резонаторов в форме разрезных колец, в которых наблюдается эффект памяти для величины индуктивности в зависимости от поля намагничивания и ориентации намагниченности магнитных слоёв. Кольца состоят из следующих слоёв: Nb(20)/Co(2.5)/Nb(8)/Co(1.5)/Nb(8)/Al(20). Добавление нормального металла позволило повысить эффективность индуктивной памяти в отличие от образцов без слоя нормального металла. Данный эффект связан с тем, что большая часть тока распределяется через прилегающий слой Al [1]. В случае же отсутствия Al ток может протекать через ферромагнитную прослойку, и каждый случайный домен сильно искажает пространственное распределение тока и свойства структуры.
Результаты получены при финансовой поддержке гранта, реализуемого в рамках Соглашения № 075-15-2025-010 от 28.02.2025 г.
[1]: А.А.Неило, С.В.Бакурский, Н.В.Кленов, И.И.Соловьев, М.Ю.Куприянов. Магнитное управление кинетической индуктивностью в элементах сверхпроводниковой электроники. Письма в ЖЭТФ, том 121, вып. 1, с. 63 – 71.
Наумов Марк выступит с доладом на тему: "Электронные свойства допированныx индием топологических изоляторов SnBi2Te4, PbBi2Te4".Аннотация: Поиск материалов которые бы сочетали в себе топологические и сверхпроводящие свойства является интересной задачей как с фундаментальной точки зрения, так и из-за их возможного применения в топологически защищенных квантовых вычислениях. Материалы SnBi2Te4, PbBi2Te4 допированные In являются одними из кандидатов в топологические сверхпроводники, что говорит о актуальности их экспериментального изучения. SnBi2Te4 - трехмерный топологический изолятор с небольшой шириной запрещенной зоны. Материал имеет слоистую структуру со слабым ван-дер-ваальсовым межслойным взаимодействием. При допировании данного вещества индием он становится сверхпроводником второго рода [1]. Подобные материалы уже давно привлекают внимание исследователей из-за предсказанного перехода данных веществ в состояние топологического сверхпроводника [2]. В докладе внимание будет уделено транспортным свойствам данных материалов в нормальном и сверхпроводящем состоянии. Отдельно будут рассмотрены поверхностные свойства материала Sn1-xInхBi2Te4, полученные на низкотемпературном (до 300 мK) сканирующем туннельном микроскопе коллегами из Китая. Будет произведено сравнение объемных и поверхностных свойств. Работа была выполнена совместно с коллективом лаборатории фотоэлектронной спектроскопии квантовых функциональных материалов. Результаты получены при финансовой поддержке гранта, реализуемого в рамках Соглашения № 075-15-2025-010 от 28.02.2025 г.
This work was supported by the grant implemented under the agreement № 075-15- 2025-010 date 28.02.2025 г.
1. Michael A. McGuire et al. Superconductivity by alloying the topological insulator SnBi2Te4 // Phys. Rev. Materials 7, 034802 2. Yonezawa, S. Nematic Superconductivity in Doped Bi2Se