При разработке магнитных и электронных устройств необходимо иметь детальную информацию об электронной структуре интерфейсов и контролировать магнитные свойства, связанные с отдельными атомными слоями вблизи границ раздела. Благодаря ряду уникальных свойств, значительный интерес представляют материалы на основе 4f-элементов, а также 2D-материалы, такие как графен и дихалькогениды переходных металлов. Для большинства 4f-материалов объемные свойства хорошо изучены, при этом наблюдается существенный дефицит информации о свойствах их поверхностей и интерфейсов. Не многое известно также о магнитном эффекте близости на интерфейсах немагнитных 2D-материалов с ферромагнетиками. В докладе будут рассмотрены свойства приповерхностных областей кристаллов 4f-соединений, в частности особенности электронной и спиновой структуры поверхностных состояний, изменения валентности 4f-элементов, отличия магнитных свойств поверхностных слоев от объемных, изменения кристаллического поля вблизи поверхности и соответствующие изменения направления 4f магнитных моментов. Также будет рассмотрен магнитный эффект близости в системах на основе графена и MoS2 на поверхности кобальта.
16 ноября 2022, 11:00, Закончился
Электронная и магнитная структура приповерхностных областей кристаллов 4f-соединений и интерфейсов 2D-материал/ферромагнетик
Д. Усачев, СПбГУ