В четверг 7 марта в 15:30 в 119 ЛК состоится семинар "Современные проблемы квантовой физики". С докладами выступят студенты 5го и 4го курса кафедры фундаментальной и прикладной физики микро- и наноструктур (МФТИ): Яновская Анастасия (научный руководитель Бобкова И.В.) и Понамарев Евгений (научный руководитель Фролов А.С).
Яновская Анастасия выступит с докладом на тему: "Управляемая сверхпроводимость в Ван-дер-Ваальсовых гетероструктурах сверхпроводник/ферромагнетик".
Аннотация: Хорошо известно, что в тонкопленочных гибридных структурах сверхпроводник/ферромагнитный металл (S/FM) обменное поле, наведенное в сверхпроводнике в результате эффекта близости с ферромагнетиком, подавляет сверхпроводимость [1]. Квази-2D и Ван-дер-Ваальсовы S/FM гетероструктуры обеспечивают естественную платформу для реализации явлений, связанных с эффектами близости, т.к. в их случае область интерфейса распространяется на весь материал. В силу низкого количества моноатомных слоев в гетероструктуре, в описанных бислоях оказываются важны эффекты гибридизации электронных спектров, из-за которых сверхпроводящее состояние будет сильно перестраиваться. Степень гибридизации, а значит и сверхпроводимость, можно контролировать с помощью напряжения затвора, что представляет большой интерес для науки. В данной работе рассматривается задача исследования описанной перестройки сверхпроводящего состояния в квази-2D и Ван-дер-Ваальсовых S/FM гетероструктурах. Кроме того, исследуется, как поведение сверхпроводящего состояния зависит от плавного изменения числа монослоев: от нетривиального поведения в монослойном режиме к поведению, которое почти соответствует обычному объемному случаю. [1] G. Sarma, On the influence of a uniform exchange field acting on the spins of the conduction electrons in a superconductor, Journal of Physics and Chemistry of Solids 24, 1029 (1963).
Понамарев Евгений выступит с докладом на тему: "Динамика магнитных доменов в антиферромагнитном топологическом изоляторе Ge0.4Mn0.6Bi2Te4 в магнитном поле"
Аннотация: Доклад посвящен исследованию поверхностных магнитных свойств антиферромагнитного топологического изолятора Ge0.4Mn0.6Bi2Te4 методом криогенной магнитно-силовой микроскопии. Во внешнем магнитном поле в нем происходит поверхностный спин-флоп эффект. Изучение магнитных свойств антиферромагнитных топологических изоляторов обусловлено тем, что они оказывают влияние на величину энергетической запрещенной зоны и закон дисперсии в точке Дирака. В докладе будет обзор теоретических моделей SSF, криогенной магнитно-силовой микроскопии, данных, полученный для аналогичных веществ, а также экспериментальные данные полученные в нашей лаборатории.
