В среду 19 ноября в 17:00 в 226.5 ЛК состоится традиционный семинар ЦМН.
С докладом на тему: "Электронная структура сильно коррелированных соединений иттербия" выступит д.ф.-м.н. Усачев Дмитрий Юрьевич, СПбГУ.
Аннотация: Понимание деталей электронной структуры вблизи уровня Ферми необходимо для объяснения необычных физических свойств сильно коррелированных материалов, содержащих атомы лантаноидов. Эти тонкие особенности, часто возникающие из-за тонкого расщепления 4f-состояний, обусловленного их гибридизацией с коллективизированными состояниями и влиянием кристаллического электрического поля, определяют уникальное низкотемпературное поведение этих материалов. Электронную структуру традиционно моделируют в рамках теории функционала плотности (DFT), которая аппроксимирует многоэлектронную задачу модельной системой невзаимодействующих электронов, движущихся в эффективном потенциале. Используемые в DFT приближения часто не позволяют воспроизвести тонкие особенности сильно коррелированных систем, что приводит к неполному или даже вводящему в заблуждение описанию их тонкой электронной структуры. В экспериментальных исследованиях электронной структуры богатую информацию дает фотоэлектронная спектроскопия. Однако из-за высокой поверхностной чувствительности часто бывает трудно различить объемные и поверхностные электронные состояния. В докладе будут рассмотрены экспериментальные результаты фотоэмиссионных исследований электронной структуры соединений YbRh2Si2 и YbIr2Si2 с тяжелыми фермионами [1], а также предложена простая модель, позволяющая подправить DFT-расчет для получения хорошего согласия с экспериментом, что в свою очередь позволило дать надежную интерпретацию данных фотоэлектронной спектроскопии.