30 июня 2026, 13:00, 226.5 ЛК Через 4 дня

Двумерные магнитные материалы для спинтроники: альтермагнетики, ферромагнетики, гетероструктуры

В.Г. Сторчак

Во вторник 30 июня в 13:00 в 226.5 ЛК состоится Семинар ЦМН.

С докладом на тему "Двумерные магнитные материалы для спинтроники: альтермагнетики, ферромагнетики, гетероструктуры" выступит В.Г. Сторчак , НИЦ “Курчатовский институт”

Аннотация: Недавнее открытие 2D магнитов стимулировало разработку новых магнитных материалов в

двумерном пределе. Возможность управления магнитными состояниями в таких системах открывает

широкие перспективы для их применения в спинтронике. Однако ключевой проблемой остается

необходимость интеграции наноразмерных магнитных материалов с технологически важными

полупроводниковыми платформами. Мы предлагаем ряд решений для удовлетворения этих

требований [1–9].

Нами разработаны новые классы двумерных ферромагнитных материалов на основе редкоземельных

элементов [1–4]. Силицен и германен — кремниевый и германиевый аналоги графена — могут быть

интеркалированы европием или гадолинием с образованием слоистых структур [1, 2]. В этих

соединениях происходит переход от объемных антиферромагнетиков к двумерным ферромагнетикам

при уменьшении толщины структуры до одного монослоя. Аналогичные тройные соединения состава

MAlSi – первые ферромагнитные металлы в монослойном пределе – демонстрируют уникальные

транспортные свойства [3]. Дальнейшее уменьшение толщины таких магнитов приводит к созданию

субмонослойных магнитных материалов [4].

Альтермагнетики, сочетающие функциональные свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков,

открывают новую парадигму в спинтронике. До настоящего времени исследования были

сосредоточены преимущественно на объемных альтермагнетиках. Мы расширили эту область

исследований до двумерного предела [5–7]. Эпитаксиальные монослойные пленки тетрагональных

GdAlSi и GdAlGe демонстрируют спонтанный эффект Холла, что указывает на наличие

нерелятивистского спинового расщепления [5, 7]. Дальнейшая миниатюризация позволяет получать

субмонослойные альтермагнитные материалы, проявляющие колоссальное отрицательное

магнитосопротивление [6].

Сочетание двумерных магнитов с другими двумерными материалами позволяет производить

функциональные гетероструктуры. В частности, это открывает возможность создания магнитного

графена. Нами синтезированы гетероструктуры на основе графена и двумерных редкоземельных

магнитов [8,9]. В отличие от чистого графена, эти материалы демонстрируют аномальный эффект

Холла и отрицательное магнитосопротивление, что свидетельствует о спиновой поляризации

носителей заряда. Примечательно, что приобретенные магнитные свойства не нарушают уникальных

характеристик графена.

Работа поддержана Российским научным фондом [гранты No. 24-19-00038 и 25-79-10047].

[1] A.M. Tokmachev et al., Nat. Commun. 9 (2018) 1672.

[2] A.M. Tokmachev et al., Mater. Horiz. 6 (2019) 1488.

[3] O.E. Parfenov et al., Adv. Mater. 37 (2025) 2412321.

[4] A.M. Tokmachev et al., ACS Nano 15 (2021) 12034.

[5] O.E. Parfenov et al., J. Am. Chem. Soc. 147 (2025) 5911.

[6] O.E. Parfenov et al., J. Am. Chem. Soc. 147 (2025) 23857.

[7] O.E. Parfenov et al., J. Am. Chem. Soc. 147 (2025) 39464.

[8] I.S. Sokolov et al., Carbon 238 (2025) 120242.

[9] I.S. Sokolov et al., Carbon 245 (2025) 120794.