В среду 21 февраля в 11:00 в Центре фундаментальных и прикладных исследований ВНИИА им. Н.Л. Духова состоится объединенный семинар лаборатории № 176 (физики микро- и наноструктур) и лаборатории № 118 (сверхпроводящих и квантовых технологий). с докладом на тему "Реализация квантовых мемристоров для нейроморфных вычислений" выступит С.Ю. Стремоухов, МГУ имени М.В. Ломоносова.
Аннотация: Нейроморфные вычисления, которые проводятся, в основном, с использованием классических мемристоров (устройств, электрическое сопротивление которых зависит от заряда, протекшего через них в предыдущие моменты времени) доказали свою эффективность при решении ряда задач, таких, например, как распознавание образов и речи, прогнозирование, обобщение. Вместе с тем, в настоящее время активно развиваются квантовые вычисления, которые имеют неоспоримые преимущества по сравнению с классическими, благодаря высокому уровню параллелизма, масштабируемости, принципу суперпозиции и запутанности. Возникла естественная идея найти такой класс устройств, который позволил бы проводить нейроморфные квантовые вычисления. К таким устройствам относятся квантовые мемристоры.
В опубликованной недавно работе [1] мы сформулировали идею создания квантовых мемристоров на ионной платформе, предложили конкретную схему для экспериментальной реализации предложенного объекта. Кроме того, продемонстрировали преимущество ионной платформы реализации квантового мемристора, которое заключается в том, что квантовое состояние может быть передано другому связанному силами кулоновского взаимодействия иону по цепочке за счет низкочастотной колебательной моды центра масс. Это позволит задействовать два и более ионов для проведения логических операций, формируя нейронную сеть.
В рамках настоящего доклада предлагается обсудить идею создания квантового мемристора на ультрахолодных ионах, а также перспективу создания таких устройств на других платформах, которые используются при создании квантовых компьютеров.
1. S. Stremoukhov, P. Forsh, K. Khabarova, N. Kolachevsky, “Proposal for Trapped-Ion Quantum Memristor”, Entropy, 25, 1134 (2023).